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被诉人为制造 DRAM 短缺，三星、SK 海力士、美光申请撤诉遭美国法院驳回
IT之家 11 月 15 日消息，据法律媒体 LitNews 报道，在当地时间 11 月 14 日发布的一项裁决中，美国加利福尼亚北区联邦地区法院法官诺埃尔 · 怀斯（Noël Wise）全盘驳回了三星、美光和 SK 海力士联合提交的驳回起诉动议，裁定原告起诉书就三方违反《谢尔曼法》（Sherman Act）第 1 条达成非法协议一事作出了具有合理性的指控。
IT之家注：法官目前只是驳回了被告的撤诉动议（Motion to Dismiss），认为原告的指控在表面上具备“合理性”，准许案件进入下一阶段（证据开示与实质审理），尚未作出三家公司构成违法或须承担赔偿责任的最终实体判决。
该诉讼于 2026 年 6 月 25 日由来自美国五个州的 17 名消费者及小型企业联合提起；根据诉状内容，这些消费者认为三星、SK 海力士和美光通过人为限制 DRAM 供应，制造市场短缺，进而大幅抬高内存价格，损害消费者利益。
诉状指出，截至 2025 年第三季度，这三大 DRAM 巨头合计占据了全球 DRAM 市场 91% 以上的营收份额。
尽管被告辩称，其审慎的产能调整是对人工智能需求激增的自然反应，且与 2018 年一起此前已被驳回的诉讼如出一辙，但怀斯法官对此不予认同，并直言：“本院认为事实并非如此。”
针对三家公司所称“高度集中的市场中，竞争对手自然会密切关注彼此动向”的抗辩，她在裁定书中写道：“然而，原告的指控已远超‘鹰群彼此观望’的范畴；他们的主张更像是‘鹰群编队飞行’—— 而这绝非鹰类在自然状态下的常规行为。”
起诉书显示，这三家制造商于 2022 年底开始削减传统内存产量，并在 2023 年将晶圆产能转向高带宽内存（HBM）。
在三家公司均未扩大总产量的情况下，这一产能分配转移在短短 18 个月内（2024 年第三季度末至 2026 年第一季度末）推动传统 DRAM 价格飙升了惊人的 697%。由于每 GB 的 HBM 所需消耗的硅晶圆面积是标准 DDR5 内存的三到四倍，此举严重挤压了消费级与个人电脑市场的内存供应，令整个行业阴云密布、苦不堪言。
怀斯法官在裁定中指出，三方确实采取了多项超出正常市场规律的协同行动，且若非事先存在默契，这些举措将极难逆转。
具体而言，三星和 SK 海力士拒绝与传统 DRAM 的主要采购方签订长期协议，同时推迟或叫停了新建 DRAM 晶圆厂的计划。此外，三家公司在 2025 年同一季度内陆续削减并关停了 DDR4 生产线，美光更于 2025 年 12 月 3 日宣布关停旗下拥有近 30 年历史的消费级存储品牌英睿达（Crucial）。
法院同时注意到，三星、SK 海力士和美光在 2026 年 1 月采取了如出一辙的客户审查机制，且三者曾在 1998 年至 2002 年间有过价格操纵的前科。
基于上述事实，怀斯法官已责令这三家 DRAM 制造商于 2026 年 12 月 7 日前就起诉书提交正式答辩状，并将首次案件管理会议定于 2027 年 1 月 12 日举行。
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